亞微米級大比表面積高純碳化硅微粉是真空固相燒結法生產碳化硅工程陶瓷的基礎原料。我院生產的陶瓷級SiC超細微粉D50在0.5微米左右，其純度高、分布均勻、比表面積大、表面活性高。
主要元素含量：
SiC | F.C | F.Si | T.Fe | |||
≥98% | <0.3% | <0.2% | <0.02% |
亞微米級大比表面積高純碳化硅微粉是真空固相燒結法生產碳化硅工程陶瓷的基礎原料。我院生產的陶瓷級SiC超細微粉D50在0.5微米左右，其純度高、分布均勻、比表面積大、表面活性高。
主要元素含量：
SiC | F.C | F.Si | T.Fe | |||
≥98% | <0.3% | <0.2% | <0.02% |